Substandard and counterfeit detection
Failure analysis
Lifecycle and reliability testing
Electrical testing
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
SISS27DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
17900 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (86 Oceny)
SISS27DN-T1-GE3
Przegląd produktu
13009806
Numer części
SISS27DN-T1-GE3-DGProducent
Vishay Siliconix
SISS27DN-T1-GE3
Opis
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8SMagazyn
17900 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
P-Channel 30 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zapewnienie jakości i zwroty
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SISS27DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5250 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8S
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8S
Podstawowy numer produktu
SISS27
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SISS27DN-T1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karta danych HTML
SISS27DN-T1-GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Their customer service team is proactive and always ready to assist.
grudnia 02, 2025
Their stock levels are impressive, which allows us to rely on quick delivery times for our projects.
grudnia 02, 2025
The quality of DiGi Electronics products is outstanding, providing reliable performance every single time.
grudnia 02, 2025
DiGi Electronics offers exceptional after-sales support, ensuring customer satisfaction every step of the way.
grudnia 02, 2025
Each delivery arrives on time and in perfect condition.
grudnia 02, 2025
Their transparent pricing structure is one of the reasons I trust them.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są główne cechy i parametry techniczne tranzystora MOSFET P-Channel Vishay SISS27DN-T1-GE3?
Ten tranzystor MOSFET P-Channel obsługuje napięcie dren-źródło do 30 V, ciągły prąd drenu do 50 A oraz posiada obudowę PowerPAK® 1212-8S do montażu powierzchniowego, co czyni go odpowiednim do wysokoprądowych zastosowań zasilania. Charakteryzuje się niskim Rds(on) na poziomie 5,6 mΩ przy 15 A i 10 V, a pracuje w zakresie temperatur od -50°C do 150°C.
Czy tranzystor Vishay SISS27DN-T1-GE3 jest kompatybilny z typowymi schematami montażu powierzchniowego na PCB?
Tak, tranzystor SISS27DN-T1-GE3 jest umieszczony w obudowie PowerPAK® 1212-8S, która jest zaprojektowana do montażu powierzchniowego, zapewniając kompatybilność z powszechnymi procesami montażu PCB i łatwą integrację w układach zasilania.
Do jakich zastosowań nadaje się ten tranzystor MOSFET P-Channel z serii Vishay TrenchFET®?
Ten tranzystor jest idealny do przełączania zasilania, przełączania obciążenia, sterowania silnikami oraz innych zastosowań wysokoprądowych i wysokiej częstotliwości, które wymagają niezawodnych i wydajnych FET-ów P-Channel z niskim Rds(on).
Jak wypada SISS27DN-T1-GE3 pod względem rozpraszania mocy i zarządzania ciepłem?
Maksymalna moc strat wynosi 4,8 W przy temperaturze otoczenia oraz do 57 W przy chłodzeniu do obudowy, co świadczy o doskonałej wydajności termicznej i możliwościach stosowania w wymagających układach zasilania, pod warunkiem użycia odpowiednich radiacji cieplnej.
Jaka jest dostępność i status gwarancyjny tranzystora Vishay SISS27DN-T1-GE3?
SISS27DN-T1-GE3 jest aktywnie dostępny w magazynach, z ponad 7200 sztukami w stanie nowym i oryginalnym. W celu uzyskania szczegółowych informacji na temat gwarancji i wsparcia skontaktuj się z dostawcą lub dystrybutorem, aby potwierdzić autentyczność produktu oraz warunki obsługi posprzedażowej.
DiGi provide top-quality products and perfect service for
customer worldwide through standardization, technological
innovation andcontinuous improvement .Buyers need more than
just electronic parts. They need security.
All the electronics components will pass QC, make sure all the
parts are working perfect. Save your time and your money is
our poiver.
SISS27DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
