Substandard and counterfeit detection
Failure analysis
Lifecycle and reliability testing
Electrical testing
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
17300 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (166 Oceny)
SIZ998DT-T1-GE3
Przegląd produktu
12786461
Numer części
SIZ998DT-T1-GE3-DGProducent
Vishay Siliconix
SIZ998DT-T1-GE3
Opis
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIRMagazyn
17300 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 32.9W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zapewnienie jakości i zwroty
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SIZ998DT-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual), Schottky
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Moc - Max
20.2W, 32.9W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PowerPair® (6x5)
Podstawowy numer produktu
SIZ998
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SIZ998DT-T1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
SIZ998DT
Karta danych HTML
SIZ998DT-T1-GE3-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIZ998DT-T1-GE3-DG
SIZ998DT-T1-GE3TR
SIZ998DT-T1-GE3DKR
SIZ998DT-T1-GE3CT
Pakiet Standard
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Toller Service! Schnelle Lieferung, sichere Verpackung.
grudnia 02, 2025
Their shipping is always on schedule, which I really appreciate.
grudnia 02, 2025
Always pleased with their timely shipment and competitive pricing.
grudnia 02, 2025
I trust DiGi Electronics for consistent product performance; they never disappoint.
grudnia 02, 2025
Fast shipping and attentive customer support made this a five-star experience.
grudnia 02, 2025
Customer support is proactive, caring, and always ready to help after sales.
grudnia 02, 2025
Fast, efficient shipping process that I rely on.
grudnia 02, 2025
The customer service is top-notch—responsive, courteous, and professional every time I reach out.
grudnia 02, 2025
Every purchase reflects the high quality and consistent performance I expect from DiGi Electronics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy układów MOSFET Vishay SIZ998DT-T1-GE3?
Vishay SIZ998DT-T1-GE3 to 8-paarowy układ MOSFET typu surface-mount, z maksymalnym napięciem dren-do-źródła 30V i ciągłym prądem drenu 20A na każde urządzenie, przeznaczony do wysokowydajnych układów przełączających.
Czy układ MOSFET Vishay jest kompatybilny z różnymi urządzeniami elektronicznymi?
Tak, ten układ MOSFET jest kompatybilny z szerokim wyborem systemów elektronicznych wymagających wysokiej mocy przełączania, takich jak zasilacze, sterowniki silników czy konwertery DC-DC, dzięki swojej niezawodnej wydajności i konstrukcji surface-mount.
Jakie są zalety stosowania układów MOSFET TrenchFET® firmy Vishay w moim projekcie?
Ten układ MOSFET oferuje niskie Rds(on) co zmniejsza straty na przewodzeniu, wysoką wydajność termiczną oraz kompaktowe opakowanie, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla układów o dużym poborze prądu w ograniczonej przestrzeni, zapewniając jednocześnie niezawodną pracę.
Jak mogę zakupić układ MOSFET Vishay SIZ998DT-T1-GE3?
Produkt jest dostępny w opakowaniu taśmowym na rolki, z magazynem przekraczającym 13 000 sztuk. Możesz dokonać zakupu bezpośrednio u autoryzowanych dystrybutorów lub w oficjalnych kanałach Vishay, co gwarantuje szybką realizację i oryginalną jakość.
Jakie są parametry termiczne i środowiskowe tego układu MOSFET?
Vishay SIZ998DT-T1-GE3 działa efektywnie w zakresie temperatur od -55°C do 150°C (TJ) i posiada poziom wrażliwości na wilgoć poziomu 1, co czyni go odpowiednim do różnych wymagających środowisk, zapewniając stabilną pracę.
DiGi provide top-quality products and perfect service for
customer worldwide through standardization, technological
innovation andcontinuous improvement .Buyers need more than
just electronic parts. They need security.
All the electronics components will pass QC, make sure all the
parts are working perfect. Save your time and your money is
our poiver.
SIZ998DT-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
