SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix
4.9 / 5.0 - (110 Oceny)

SIZ902DT-T1-GE3

Przegląd produktu

12787660

Numer części

SIZ902DT-T1-GE3-DG

Producent

Vishay Siliconix
SIZ902DT-T1-GE3

Opis

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR

Magazyn

2922 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 30V 16A 29W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
FET, układy MOSFET
SIZ902DT-T1-GE3 Karta katalogowa
Ilość
Minimum 1

Zakup i zapytanie

RFQ (Zapytanie o ofertę)

Możesz złożyć zapytanie ofertowe (RFQ) bezpośrednio na stronie szczegółów produktu lub stronie RFQ. Nasz zespół sprzedaży odpowie na Twoje zapytanie w ciągu 24 godzin.

Metoda płatności

Oferujemy kilka wygodnych metod płatności, w tym PayPal (zalecane dla nowych klientów), karty kredytowe i przelewy bankowe (T/T) w USD, EUR, HKD i innych.

WAŻNA NOTYFIKACJA

Po wysłaniu zapytania ofertowego (RFQ) otrzymasz wiadomość e-mail w swojej skrzynce pocztowej informującą o otrzymaniu Twojego zapytania. Jeśli jej nie otrzymasz, nasz adres e-mail może być błędnie oznaczony jako spam. Prosimy sprawdzić folder ze spamem i dodać nasz adres e-mail [email protected] do swojej białej listy, aby zapewnić sobie otrzymywanie naszej oferty. Ze względu na możliwość wahań w dostępności i cenach, nasz zespół sprzedaży będzie musiał ponownie potwierdzić Twoje zapytanie lub zamówienie i na bieżąco informować Cię o wszelkich aktualizacjach za pomocą e-maila. Jeśli masz jakiekolwiek inne pytania lub potrzebujesz dodatkowej pomocy, prosimy o kontakt.

Dostępny (Wszystkie ceny są podane w dolarach amerykańskich)
  • Ilość Cena docelowa Całkowita cena
  • 3000 0.56 1689.54
  • 6000 0.53 3150.41
  • 9000 0.50 4459.03
Lepsza cena dzięki internetowej prośbie o wycenę
Poproś o wycenę(Wysyłka jutro)
Ilość
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

SIZ902DT-T1-GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET

Producent Vishay

Opakowanie Tape & Reel (TR)

Seria TrenchFET®

Status produktu Active

Technologia MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracja 2 N-Channel (Half Bridge)

Funkcja FET Logic Level Gate

Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C 16A

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 21nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 790pF @ 15V

Moc - Max 29W, 66W

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu Surface Mount

Pakiet / Walizka 8-PowerWDFN

Pakiet urządzeń dostawcy 8-PowerPair® (6x5)

Podstawowy numer produktu SIZ902

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Pobierz SIZ902DT-T1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe

SiZ902DT
Karta danych HTML

SIZ902DT-T1-GE3-DG

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T 8541.29.0095

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
SIZ902DT-T1-GE3DKR
SIZ902DT-T1-GE3TR
SIZ902DT-T1-GE3CT
SIZ902DTT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Certyfikacja DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produkty powiązane
Blogi i posty
Zrozumienie przekaźnika ALE7PB05: funkcje, zastosowania i gdzie kupić
cze 24 2025
Najnowsze osiągnięcia w technologii układów scalonych: analiza pięciu najnowocześniejszych technologii
sty 18 2025
Postępy w technologii cewek indukcyjnych: innowacyjne zastosowania LTCC i przetworników rezonansowych wysokiej częstotliwości
sty 18 2025