Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
SISA14DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
44200 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (438 Oceny)
SISA14DN-T1-GE3
Przegląd produktu
12787609
Numer części
SISA14DN-T1-GE3-DGProducent
Vishay Siliconix
SISA14DN-T1-GE3
Opis
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8Magazyn
44200 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SISA14DN-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1450 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® 1212-8
Pakiet / Walizka
PowerPAK® 1212-8
Podstawowy numer produktu
SISA14
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SISA14DN-T1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
SISA14DN
Karta danych HTML
SISA14DN-T1-GE3-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SISA14DN-T1-GE3DKR
SISA14DN-T1-GE3CT
SISA14DN-T1-GE3TR
SISA14DNT1GE3
Pakiet Standard
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Une entreprise sur laquelle je peux compter pour des produits de qualité et une livraison précise.
grudnia 02, 2025
Ich schätze die klare Gestaltung der Webseite, die das Stöbern sehr erleichtert.
grudnia 02, 2025
Their shipping logistics are well-organized, enabling rapid delivery even for bulk orders.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jaka jest główna funkcja tranzystora MOSFET Vishay SISA14DN-T1-GE3?
Vishay SISA14DN-T1-GE3 to tranzystor MOSFET typu N przeznaczony do zastosowań w przełączaniu i zarządzaniu mocą, obsługujący napięcie do 30 V oraz prąd do 20 A.
Czy tranzystor Vishay SISA14DN-T1-GE3 jest odpowiedni do montażu powierzchniowego na PCB?
Tak, ten tranzystor MOSFET posiada obudowę PowerPAK® 1212-8, zoptymalizowaną do technologii montażu powierzchniowego, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla kompaktowych projektów PCB.
Jakie są kluczowe parametry elektryczne tego tranzystora MOSFET?
Tranzystor ten ma napięcie dren-źródło (Vdss) do 30 V, ciągły prąd drenu (Id) do 20 A przy 25°C oraz maksymalny opór Rds On na poziomie 5,1 mΩ przy napięciu bramki (Vgs) 10 V, co zapewnia efektywne przełączanie mocy.
Czy Vishay SISA14DN-T1-GE3 może pracować w wysokich temperaturach?
Tak, jest przystosowany do pracy w zakresach od -55°C do 150°C temperatury topnienia (TJ), co czyni go odpowiednim do różnych zastosowań w wysokotemperaturowej elektronice mocy.
Jakie są zalety wyboru tego tranzystora MOSFET pod względem niezawodności i zgodności z normami?
Ten tranzystor jest zgodny z normą RoHS3, zarejestrowany w systemie REACH, posiada wysoką zdolność do rozpraszania mocy, co zapewnia niezawodne działanie przy jednoczesnym spełnieniu wymagań środowiskowych.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
SISA14DN-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SISA14DN-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
