Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
SIHP24N65E-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
17030 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (191 Oceny)
SIHP24N65E-E3
Przegląd produktu
12786510
Numer części
SIHP24N65E-E3-DGProducent
Vishay Siliconix
SIHP24N65E-E3
Opis
MOSFET N-CH 650V 24A TO220ABMagazyn
17030 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SIHP24N65E-E3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2740 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
SIHP24
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SIHP24N65E-E3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karta danych HTML
SIHP24N65E-E3-DG
Karty katalogowe
SIHG24N65E
Packaging Information
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIHP24N65EE3
Pakiet Standard
1,000
Alternatywne części
NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
포장 상태가 일관되게 좋아서 언제나 믿고 주문할 수 있어요. 배송 추적도 정확하고 빠르게 확인 가능했습니다.
grudnia 02, 2025
The eco packaging was easy to recycle and showed real concern for the environment.
grudnia 02, 2025
I appreciate their commitment to providing quality at a friendly price point.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy mosfetu N-channel Vishay SIHP24N65E-E3?
Vishay SIHP24N65E-E3 to wysokiego napięcia mosfet N-channel o napięciu przewodzenia 650V i ciągłym prądzie drenu do 24A. Posiada obudowę TO-220AB, niskie Rds On wynoszące 145 mΩ przy 12A i jest przeznaczony do zastosowań w przełączaniu dużej mocy.
Czy mosfet Vishay SIHP24N65E-E3 nadaje się do wysokiego napięcia w przełącznikach zasilania?
Tak, dzięki napięciu dren-do-źródła wynoszącemu 650V, ten mosfet jest idealny do wysokiego napięcia w przełącznikach zasilania oraz w zastosowaniach przemysłowych wymagających stabilnej pracy pod dużym napięciem.
Jaki jest maksymalny zakres temperatur pracy tego mosfetu?
Mosfet może pracować skutecznie w zakresie temperatur od -55°C do 150°C, co czyni go odpowiednim do różnych wymagających środowisk i warunków termicznych.
Jakie jest dopasowanie mosfetu Vishay SIHP24N65E-E3 do różnych obwodów elektronicznych?
Mosfet korzysta z standardowej obudowy TO-220AB i wymaga napięcia sterującego około 10V dla optymalnego Rds On, co zapewnia kompatybilność z większością układów zasilających i sterowników mocy.
Jakie są zalety korzystania z mosfetu Vishay SIHP24N65E-E3 w porównaniu do podobnych urządzeń?
Jego wysoka wartość napięcia, niskie Rds On oraz duża zdolność do odprowadzania mocy (do 250W) przekładają się na efektywne zarządzanie energią i wydajność termiczną, co czyni go idealnym do zastosowań wysokiej mocy i w wymagających przełącznikach.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
SIHP24N65E-E3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHP24N65E-E3 PCB symbols & footprints
productDetail
