Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
SIHB33N60EF-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
19766 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (101 Oceny)
SIHB33N60EF-GE3
Przegląd produktu
12787586
Numer części
SIHB33N60EF-GE3-DGProducent
Vishay Siliconix
SIHB33N60EF-GE3
Opis
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAKMagazyn
19766 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SIHB33N60EF-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
33A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
98mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3454 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
SIHB33
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SIHB33N60EF-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
SIHB33N60EF
Karta danych HTML
SIHB33N60EF-GE3-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
お手頃価格とエコ包装で、何度もリピートしています。
grudnia 02, 2025
Dependability and cost savings—DiGi Electronics nails both.
grudnia 02, 2025
I always feel valued as a customer thanks to their friendly and helpful staff.
grudnia 02, 2025
The after-sales team goes above and beyond to ensure any issues are resolved efficiently.
grudnia 02, 2025
I appreciate their quick turnaround and attentive customer support.
grudnia 02, 2025
DiGi Electronics' products are of such high quality that they add real value to our work.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy tranzystora MOSFET Vishay SIHB33N60EF-GE3?
Vishay SIHB33N60EF-GE3 to tranzystor MOSFET typu N o napięciu znamionowym 600 V i ciągłym prądzie drenu 33 A, idealny do zastosowań związanych z wysokoprądowym przełączaniem. Charakteryzuje się niskim rezystorem Rds On wynoszącym 98 mΩ oraz maksymalnym rozpraszaniem mocy 278 W, co czyni go efektywnym w zarządzaniu energią. Jest umieszczony w obudowie D2PAK (TO-263) do montażu powierzchniowego, co ułatwia instalację i zapewnia niezawodność pracy.
Czy tranzystor MOSFET Vishay SIHB33N60EF-GE3 jest odpowiedni do obwodów wysokiego napięcia?
Tak, ten tranzystor MOSFET jest zaprojektowany do pracy w obwodach wysokiego napięcia, z napięciem dren-źródło sięgającym do 600 V, co czyni go odpowiednim do wysokiego napięcia i konwersji energii. Jego duża pojemność prądu oraz niskie Rds On dodatkowo zwiększają jego wydajność w wymagających zastosowaniach.
Jakie są kwestie kompatybilności przy używaniu tranzystora MOSFET SIHB33N60EF-GE3?
Ten tranzystor jest kompatybilny z standardowymi rozwiązaniami PCB do montażu powierzchniowego obsługującymi obudowę TO-263 (D2PAK). Wymaga napięcia sterowania bramki co najmniej 10 V dla optymalizacji Rds On i może pracować w zakresie temperatur od -55°C do +150°C, co czyni go odpowiednim do różnych systemów elektronicznych.
Jakie są główne zalety wyboru tranzystorów Vishay SIHB33N60EF-GE3 w porównaniu z innymi typami?
Tranzystory Vishay SIHB33N60EF-GE3 oferują wysokie napięcie i prąd znamionowy, doskonałe osiągi termiczne oraz niskie oporności w stanie włączenia, co zapewnia efektywność energetyczną i niezawodność w zastosowaniach wysokoprądowych. Ich zgodność z RoHS3 i szeroki zakres temperatur operacyjnych czynią je wszechstronnym i ekologicznym wyborem.
W jaki sposób mogę zakupić i zapewnić jakość tranzystora Vishay SIHB33N60EF-GE3?
Ten tranzystor jest dostępny w opakowaniach hurtowych bezpośrednio od autoryzowanych dystrybutorów, co gwarantuje oryginalną jakość. To nowy, aktywny produkt dostępny na stanie. Dla uzyskania najlepszej wydajności zaleca się przestrzeganie specyfikacji zawartych w datasheet oraz sprawdzenie zgodności z RoHS, aby zapewnić normy środowiskowe.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
SIHB33N60EF-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
