SIHB24N65ET1-GE3 Vishay Siliconix
5.0 / 5.0 - (216 Oceny)

SIHB24N65ET1-GE3

Przegląd produktu

12787602

Numer części

SIHB24N65ET1-GE3-DG

Producent

Vishay Siliconix
SIHB24N65ET1-GE3

Opis

MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Magazyn

Zapytanie ofertowe Online
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
SIHB24N65ET1-GE3 Karta katalogowa
Ilość
Minimum 1

Zakup i zapytanie

RFQ (Zapytanie o ofertę)

Możesz złożyć zapytanie ofertowe (RFQ) bezpośrednio na stronie szczegółów produktu lub stronie RFQ. Nasz zespół sprzedaży odpowie na Twoje zapytanie w ciągu 24 godzin.

Metoda płatności

Oferujemy kilka wygodnych metod płatności, w tym PayPal (zalecane dla nowych klientów), karty kredytowe i przelewy bankowe (T/T) w USD, EUR, HKD i innych.

WAŻNA NOTYFIKACJA

Po wysłaniu zapytania ofertowego (RFQ) otrzymasz wiadomość e-mail w swojej skrzynce pocztowej informującą o otrzymaniu Twojego zapytania. Jeśli jej nie otrzymasz, nasz adres e-mail może być błędnie oznaczony jako spam. Prosimy sprawdzić folder ze spamem i dodać nasz adres e-mail [email protected] do swojej białej listy, aby zapewnić sobie otrzymywanie naszej oferty. Ze względu na możliwość wahań w dostępności i cenach, nasz zespół sprzedaży będzie musiał ponownie potwierdzić Twoje zapytanie lub zamówienie i na bieżąco informować Cię o wszelkich aktualizacjach za pomocą e-maila. Jeśli masz jakiekolwiek inne pytania lub potrzebujesz dodatkowej pomocy, prosimy o kontakt.

Dostępny (Wszystkie ceny są podane w dolarach amerykańskich)
  • Ilość Cena docelowa Całkowita cena
  • 800 3.20 2560.90
  • 1600 2.77 4432.71
  • 2400 2.61 6260.80
Lepsza cena dzięki internetowej prośbie o wycenę
Poproś o wycenę(Wysyłka jutro)
Ilość
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

SIHB24N65ET1-GE3 Specyfikacje techniczne

Kategoria FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent Vishay

Opakowanie Tape & Reel (TR)

Seria E

Status produktu Active

Typ tranzystora FET N-Channel

Technologia MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C 24A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona) 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs 145mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 122 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±30V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 2740 pF @ 100 V

Funkcja FET -

Rozpraszanie mocy (maks.) 250W (Tc)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy TO-263 (D2PAK)

Pakiet / Walizka TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Podstawowy numer produktu SIHB24

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Pobierz SIHB24N65ET1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe

SiHB24N65E
Karta danych HTML

SIHB24N65ET1-GE3-DG

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T 8541.29.0095

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
800

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
IXFA22N65X2
IXYS
250
IXFA22N65X2-DG
2.56
MFR Recommended
TK16G60W,RVQ
Toshiba Semiconductor and Storage
994
TK16G60W,RVQ-DG
2.68
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produkty powiązane
Blogi i posty
Najnowsze osiągnięcia w technologii układów scalonych: analiza pięciu najnowocześniejszych technologii
sty 18 2025
Postępy w technologii cewek indukcyjnych: innowacyjne zastosowania LTCC i przetworników rezonansowych wysokiej częstotliwości
sty 18 2025
Ochrona obwodów: kluczowe technologie zapewniające bezpieczeństwo przemysłowych i samochodowych systemów elektronicznych
sty 18 2025