Substandard and counterfeit detection
Failure analysis
Lifecycle and reliability testing
Electrical testing
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
SIA931DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
23336 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (57 Oceny)
SIA931DJ-T1-GE3
Przegląd produktu
12786861
Numer części
SIA931DJ-T1-GE3-DGProducent
Vishay Siliconix
SIA931DJ-T1-GE3
Opis
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6Magazyn
23336 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zapewnienie jakości i zwroty
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
SIA931DJ-T1-GE3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
445pF @ 15V
Moc - Max
7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Podstawowy numer produktu
SIA931
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz SIA931DJ-T1-GE3 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
SIA931DJ
Karta danych HTML
SIA931DJ-T1-GE3-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SIA931DJ-T1-GE3DKR
SIA931DJ-T1-GE3CT
SIA931DJ-T1-GE3TR
Pakiet Standard
3,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Their products are dependable, and their service team consistently offers prompt solutions.
grudnia 02, 2025
Di Digi Electronics offers a superb combination of durability, quality, and price.
grudnia 02, 2025
Their extensive inventory allows me to find everything I need without the hassle.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy układu MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3?
SIA931DJ-T1-GE3 to dwukomponentowa arrays MOSFET typu P-channel, zaprojektowana z technologią TrenchFET®, z napięciem dren-źródło 30V, ciągłym prądem drenażowym 4,5A oraz sterowaniem bramki na poziomie logicznym. Posiada kompaktowy pakiet PowerPAK® SC-70-6, przystosowany do montażu powierzchniowego.
Do jakich zastosowań nadaje się układ MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3?
Ten układ MOSFET jest idealny do szybkiego przełączania, przełączania obciążenia, zarządzania baterią oraz zasilaczy, gdzie wymagane są oszczędne w miejscu dualne MOSFET-y z niskim Rds(on) i szybkim czasem reakcji.
Czy układ Vishay SIA931DJ-T1-GE3 jest kompatybilny z standardowym montażem powierzchniowym na PCB?
Tak, urządzenie posiada pakiet PowerPAK® SC-70-6, przeznaczony do technologii montażu powierzchniowego, co zapewnia kompatybilność z typowymi procesami montażu PCB i efektywną produkcję.
Jakie są główne zalety stosowania tego dwukomponentowego układu MOSFET P-channel?
Układ charakteryzuje się niskim Rds(on), wysokim prądem znamionowym oraz sterowaniem bramki na poziomie logicznym, co pozwala na efektywne przełączanie z minimalnym nagrzewaniem i kompaktową formą, odpowiednią dla nowoczesnych urządzeń elektronicznych.
Czy Vishay oferuje wsparcie techniczne lub gwarancję na układ MOSFET SIA931DJ-T1-GE3?
Tak, Vishay dostarcza ten produkt jako nowy, oryginalny komponent zgodny z RoHS3, dostępny z magazynu. Szczegóły gwarancji i wsparcia można uzyskać od autoryzowanych dystrybutorów lub bezpośrednio od Vishay.
DiGi provide top-quality products and perfect service for
customer worldwide through standardization, technological
innovation andcontinuous improvement .Buyers need more than
just electronic parts. They need security.
All the electronics components will pass QC, make sure all the
parts are working perfect. Save your time and your money is
our poiver.
SIA931DJ-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIA931DJ-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
