Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (37 Oceny)
TPHR6503PL1,LQ
Przegląd produktu
12994845
Numer części
TPHR6503PL1,LQ-DGProducent
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Opis
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZMagazyn
68029 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
TPHR6503PL1,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
U-MOSIX-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10000 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP Advance (5x5.75)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz TPHR6503PL1,LQ Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
TPHR6503PL1
Karta danych HTML
TPHR6503PL1,LQ-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Pakiet Standard
5,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
grudnia 02, 2025
대량 구매 시 가격 혜택이 크고, 요청사항에 신속하게 대응해줘서 만족스럽습니다.
grudnia 02, 2025
전 제품이 가격이 공개되어 있어서 구매 결정 시 편리했고, 제품도 만족스럽습니다.
grudnia 02, 2025
配送が迅速で、サポートも丁寧でした。とても満足です。
grudnia 02, 2025
The detailed logistics tracking updates from DiGi Electronics make it easy to monitor shipment progress.
grudnia 02, 2025
Every time I order from DiGi Electronics, the items arrive well-packaged and exactly as described, which saves me time.
grudnia 02, 2025
Their post-sale responses are detailed and always delivered within a short time frame.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie jest główne zastosowanie tranzystora MOSFET Toshiba UMOS9 SOP-ADV N-Channel?
Ten MOSFET jest zaprojektowany do zastosowań związanych z przełączaniem dużego prądu, takich jak zarządzanie zasilaniem, napędy silników oraz systemy inwerterowe, dzięki swojej wysokiej pojemności prądowej i niskiemu Rds On.
Czy MOSFET Toshiba U-MOSIX-H jest kompatybilny z standardowymi układami montażu powierzchniowego na płytkach PCB?
Tak, posiada pakowanie typu 8-SOP Advance dla montażu powierzchniowego, co czyni go odpowiednim do standardowej produkcji PCB i kompaktowych rozwiązań.
Jakie są kluczowe parametry elektryczne tego kanałowego MOSFET-a N?
Obsługuje napięcie dren-źródło do 30V, ciągły prąd drenowy do 150A przy 25°C oraz charakteryzuje się niskim Rds On na poziomie 0,65 mΩ przy 50A i 10V Vgs, zapewniając efektywną dystrybucję mocy.
Czy ten MOSFET może pracować w wysokich temperaturach i jaka jest jego maksymalna temperatura pracy?
Tak, może pracować niezawodnie w temperaturze do 175°C, co czyni go odpowiednim do wymagających zastosowań przemysłowych związanych z zasilaniem.
Czy MOSFET Toshiba jest objęty gwarancją lub dostępny w dużych ilościach na magazynie?
Produkt jest dostępny w aktualnym statusie, z magazynem przekraczającym 68 514 sztuk, a jako nowy oryginalny element zazwyczaj obejmuje gwarancję producenta i wsparcie przy zakupach hurtowych.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
