Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
TK160F10N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
1000416 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (245 Oceny)
TK160F10N1L,LQ
Przegląd produktu
12891217
Numer części
TK160F10N1L,LQ-DGProducent
Toshiba Semiconductor and Storage
TK160F10N1L,LQ
Opis
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SMMagazyn
1000416 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
TK160F10N1L,LQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
160A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10100 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura
175°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220SM(W)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
TK160F10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz TK160F10N1L,LQ Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
TK160F10N1L
Karta danych HTML
TK160F10N1L,LQ-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
Pakiet Standard
1,000
Alternatywne części
NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba Semiconductor and Storage
2188
TK160F10N1L,LXGQ-DG
0.8556
Parametric Equivalent
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
迅速な配送と丁寧な梱包に感心しました。安心して取引できます。
grudnia 02, 2025
Their after-sales team is knowledgeable, friendly, and always ready to assist with any questions.
grudnia 02, 2025
The staff at DiGi Electronics are incredibly welcoming and eager to assist.
grudnia 02, 2025
DiGi Electronics consistently delivers reliable products that I can trust for my business needs.
grudnia 02, 2025
The packing was minimal yet effective, emphasizing sustainability.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy MOSFET-a Toshiba TK160F10N1L?
Toshiba TK160F10N1L to wysokowydajny MOSFET NMOS o napięciu znamionowym 100 V i ciągłym prądzie drenowym do 160 A, zaprojektowany do efektywnego przełączania i zarządzania mocą w różnych zastosowaniach elektronicznych.
Czy MOSFET Toshiba TK160F10N1L nadaje się do pracy w wysokich temperaturach?
Tak, ten MOSFET może pracować w temperaturach do 175°C, co czyni go odpowiednim do wymagających zastosowań z dużym obciążeniem termicznym.
Czy MOSFET Toshiba TK160F10N1L można stosować z różnymi napięciami bramki?
Tak, obsługuje napięcia sterujące 6 V i 10 V, z maksymalnym napięciem Vgs wynoszącym ±20 V, co daje dużą elastyczność w projektowaniu obwodów i schematów sterowania.
Dodatkowo, charakteryzuje się niskim Rds(on) na poziomie 2,4 mΩ przy 80 A i 10 V, co pomaga minimalizować straty energii podczas pracy.
Jakie są opcje pakowania i rodzaj montażu tego MOSFET-a?
Toshiba TK160F10N1L jest dostępny w opakowaniu Tape & Reel (TR) w obudowie TO-220SM (D2PAK), odpowiedniej do montażu powierzchniowego i automatycznego montażu na dużą skalę.
Obudowa jest zgodna z normami RoHS3, co czyni ją przyjazną dla środowiska i odpowiednią do nowoczesnej produkcji elektroniki.
Gdzie można zakupić MOSFET Toshiba TK160F10N1L i jakie są opcje wsparcia posprzedażowego?
Ten MOSFET jest dostępny w magazynie u autoryzowanych dystrybutorów, z ofertą przekraczającą milion jednostek gotowych do wysyłki. W razie potrzeby wsparcia technicznego lub gwarancji, można skontaktować się z Toshibą lub swoim dostawcą.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
TK160F10N1L,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
