NP35N04YLG-E1-AY
NP35N04YLG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
ABU / MOSFET
1849 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Poproś o wycenę (Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
NP35N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
5.0 / 5.0 - (171 Oceny)

NP35N04YLG-E1-AY

Przegląd produktu

12973877

Numer części

NP35N04YLG-E1-AY-DG
NP35N04YLG-E1-AY

Opis

ABU / MOSFET

Magazyn

1849 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Ilość
Minimum 1

Zakup i zapytanie

Zapewnienie jakości i zwroty

365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.

40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.

Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.

Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie

Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych

Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD

Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia

Bezpieczna i Elastyczna Płatność

Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej

Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa

Dostępny (Wszystkie ceny są podane w dolarach amerykańskich)
  • Ilość Cena docelowa Całkowita cena
  • 1 0.8321 0.8321
  • 200 0.3222 64.4400
  • 500 0.3119 155.9500
  • 1000 0.3060 306.0000
Lepsza cena dzięki internetowej prośbie o wycenę
Poproś o wycenę(Wysyłka jutro)
Ilość
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

NP35N04YLG-E1-AY Specyfikacje techniczne

Kategoria Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Opakowanie Tape & Reel (TR)

Seria -

Status produktu Active

Typ tranzystora FET N-Channel

Technologia MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C 35A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona) 5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 2850 pF @ 25 V

Funkcja FET -

Rozpraszanie mocy (maks.) 1W (Ta), 77W (Tc)

Temperatura 175°C

Rodzaj montażu Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy 8-HSON (5x5.4)

Pakiet / Walizka 8-PowerLDFN

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

NP35N04YLG

Karta danych HTML

NP35N04YLG-E1-AY-DG

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T 8541.29.0095

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
559-NP35N04YLG-E1-AYDKR
-1161-NP35N04YLG-E1-AY
-1161-NP35N04YLG-E1-AYCT
559-NP35N04YLG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YLG-E1-AY-DG
559-NP35N04YLG-E1-AYTR
559-NP35N04YLG-E1-AY
559-NP35N04YLG-E1-AYCT
Pakiet Standard
2,500

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
山***逢
grudnia 02, 2025
5.0
包裝完好,沒有任何破損,讓我感受到他們的專業。
Tra***afen
grudnia 02, 2025
4.9
Ich war beeindruckt von der schnellen Reaktionszeit auf meine Anfragen.
Soul***rney
grudnia 02, 2025
4.8
Customer service at DiGi Electronics is personalized and attentive to detail.
Publish Evalution
* Product Rating
(Normal/Preferably/Outstanding, default 5 stars)
* Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.

Najczęściej zadawane pytania (FAQ)

Jakie są kluczowe cechy tranzystora MOSFET Renesas NP35N04YLG-E1-AY?
NP35N04YLG-E1-AY to tranzystor MOSFET typu N z napięciem znamionowym 40V i ciągłym prądem drenu do 35A. Posiada obudowę typu surface-mount 8-HSON, niski Rds On wynoszący 9,7 mΩ oraz możliwość pracy w wysokich temperaturach do 175°C, co czyni go idealnym do zastosowań w sterowaniu mocą.
Czy tranzystor MOSFET NP35N04YLG-E1-AY można używać w wysokotemperaturowych warunkach?
Tak, ten MOSFET został zaprojektowany do pracy w temperaturach do 175°C, zapewniając niezawodność działania w wysokotemperaturowych warunkach, typowych w elektronice mocy oraz zastosowaniach motoryzacyjnych.
Czy NP35N04YLG-E1-AY jest kompatybilny z standardowymi napięciami bramki?
Tak, można go sterować napięciem 5V lub 10V na bramce, co zapewnia kompatybilność z typowymi układami sterującymi bramkę w celu efektywnego przełączania.
Jakie są zalety stosowania tranzystora MOSFET NP35N04YLG-E1-AY w moim projekcie elektronicznym?
Ten MOSFET oferuje niski Rds On, co przekłada się na mniejsze straty na przewodzeniu, dużą zdolność prądową oraz kompaktową obudowę typu surface-mount, co upraszcza montaż i poprawia ogólną niezawodność układów zasilania.
Czy tranzystor MOSFET NP35N04YLG-E1-AY spełnia normy środowiskowe i bezpieczeństwa?
Tak, jest zgodny z dyrektywą RoHS3, nie zawiera substancji objętych regulacjami REACH i posiada poziom wrażliwości na wilgoć MSL 1, co gwarantuje spełnienie międzynarodowych standardów ekologicznych i bezpieczeństwa.
Certyfikacja DiGi
Blogi i posty

NP35N04YLG-E1-AY CAD Models

productDetail
Please log in first.
Nie masz jeszcze konta? Zarejestruj się