NP35N04YLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation
5.0 / 5.0 - (148 Oceny)

NP35N04YLG-E1-AY

Przegląd produktu

12973877

Numer części

NP35N04YLG-E1-AY-DG

Producent

Renesas Electronics Corporation
NP35N04YLG-E1-AY

Opis

ABU / MOSFET

Magazyn

4980 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 40 V 35A (Tc) 1W (Ta), 77W (Tc) Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
NP35N04YLG-E1-AY Karta katalogowa
Ilość
Minimum 1

Zakup i zapytanie

RFQ (Zapytanie o ofertę)

Możesz złożyć zapytanie ofertowe (RFQ) bezpośrednio na stronie szczegółów produktu lub stronie RFQ. Nasz zespół sprzedaży odpowie na Twoje zapytanie w ciągu 24 godzin.

Metoda płatności

Oferujemy kilka wygodnych metod płatności, w tym PayPal (zalecane dla nowych klientów), karty kredytowe i przelewy bankowe (T/T) w USD, EUR, HKD i innych.

WAŻNA NOTYFIKACJA

Po wysłaniu zapytania ofertowego (RFQ) otrzymasz wiadomość e-mail w swojej skrzynce pocztowej informującą o otrzymaniu Twojego zapytania. Jeśli jej nie otrzymasz, nasz adres e-mail może być błędnie oznaczony jako spam. Prosimy sprawdzić folder ze spamem i dodać nasz adres e-mail [email protected] do swojej białej listy, aby zapewnić sobie otrzymywanie naszej oferty. Ze względu na możliwość wahań w dostępności i cenach, nasz zespół sprzedaży będzie musiał ponownie potwierdzić Twoje zapytanie lub zamówienie i na bieżąco informować Cię o wszelkich aktualizacjach za pomocą e-maila. Jeśli masz jakiekolwiek inne pytania lub potrzebujesz dodatkowej pomocy, prosimy o kontakt.

Dostępny (Wszystkie ceny są podane w dolarach amerykańskich)
  • Ilość Cena docelowa Całkowita cena
  • 2500 0.70 1745.61
  • 5000 0.69 3433.02
  • 12500 0.66 8210.15
Lepsza cena dzięki internetowej prośbie o wycenę
Poproś o wycenę(Wysyłka jutro)
Ilość
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

NP35N04YLG-E1-AY Specyfikacje techniczne

Kategoria FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent Renesas Electronics Corporation

Opakowanie Tape & Reel (TR)

Seria -

Status produktu Active

Typ tranzystora FET N-Channel

Technologia MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C 35A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona) 5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 51 nC @ 10 V

Vgs (maks.) ±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 2850 pF @ 25 V

Funkcja FET -

Rozpraszanie mocy (maks.) 1W (Ta), 77W (Tc)

Temperatura 175°C

Rodzaj montażu Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy 8-HSON (5x5.4)

Pakiet / Walizka 8-PowerLDFN

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Pobierz NP35N04YLG-E1-AY Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe

NP35N04YLG
Karta danych HTML

NP35N04YLG-E1-AY-DG

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T 8541.29.0095

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
559-NP35N04YLG-E1-AYDKR
-1161-NP35N04YLG-E1-AY
-1161-NP35N04YLG-E1-AYCT
559-NP35N04YLG-E1-AY-DG
-1161-NP35N04YLG-E1-AY-DG
559-NP35N04YLG-E1-AYTR
559-NP35N04YLG-E1-AY
559-NP35N04YLG-E1-AYCT
Pakiet Standard
2,500
Certyfikacja DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produkty powiązane
Blogi i posty
Najnowsze osiągnięcia w technologii układów scalonych: analiza pięciu najnowocześniejszych technologii
sty 18 2025
Postępy w technologii cewek indukcyjnych: innowacyjne zastosowania LTCC i przetworników rezonansowych wysokiej częstotliwości
sty 18 2025
Ochrona obwodów: kluczowe technologie zapewniające bezpieczeństwo przemysłowych i samochodowych systemów elektronicznych
sty 18 2025