Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
PJA3416AE_R1_00001
Panjit International Inc.
SOT-23, MOSFET
12977 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (393 Oceny)
PJA3416AE_R1_00001
Przegląd produktu
12965104
Numer części
PJA3416AE_R1_00001-DGProducent
Panjit International Inc.
PJA3416AE_R1_00001
Opis
SOT-23, MOSFETMagazyn
12977 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
PJA3416AE_R1_00001 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
836 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Podstawowy numer produktu
PJA3416
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz PJA3416AE_R1_00001 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
PJA3416AE
Karta danych HTML
PJA3416AE_R1_00001-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
3757-PJA3416AE_R1_00001DKR
Pakiet Standard
3,000
Alternatywne części
NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Une excellente entreprise qui combine fiabilité et prix accessibles.
grudnia 02, 2025
Affordable prices from DiGi Electronics help expand my electronic hobby without breaking the bank.
grudnia 02, 2025
Receiving my orders earlier than expected allowed me to accelerate my project timelines without stress.
Opublikuj ocenę
Wiadomość oceny
Please enter your review message.
Proszę zamieścić szczere komentarze i nie publikować nielegalnych treści.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są główne cechy i parametry techniczne MOSFET-a PJA3416AE R1 SOT-23?
PJA3416AE R1 to tranzystor MOSFET z kanałem N o napięciu drenu-source do 20 V, ciągłym prądem drenu do 6,5 A oraz mocą strat do 1,25 W. Charakteryzuje się niskim Rds(on) i jest przeznaczony do montażu powierzchniowego w obudowie SOT-23.
Czy MOSFET PJA3416AE R1 jest kompatybilny z układami niskonapięciowego sterowania bramką?
Tak, ten MOSFET można sterować napięciem bramki już od 1,8 V, co minimalizuje Rds(on), dzięki czemu jest odpowiedni do układów niskonapięciowych oraz efektywnego przełączania.
Jakie są zalety stosowania MOSFET-a PJA3416AE R1 w projektach elektronicznych?
Ten MOSFET zapewnia niską rezystancję w stanie włączenia, dużą zdolność prądu oraz niezawodną pracę w szerokim zakresie temperatur, gwarantując energooszczędność i trwałość systemów w różnych urządzeniach elektronicznych.
Czy MOSFET PJA3416AE R1 można używać w środowiskach wysokotemperaturowych?
Tak, ten MOSFET działa niezawodnie w temperaturach od -55°C do 150°C, co czyni go odpowiednim do zastosowań wymagających wysokiej tolerancji na temperatury.
Na co zwrócić uwagę przy zakupie i wsparciu technicznym MOSFET-a PJA3416AE R1?
Produkt dostępny jest w opakowaniach typu taśma zwojowa, z dużym stanem magazynowym przekraczającym 13 000 sztuk. Spełnia normy RoHS3 i jest wspierany przez producenta, co zapewnia wysoką jakość i niezawodność dostaw.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
PJA3416AE_R1_00001 CAD Models
Panjit International Inc. PJA3416AE_R1_00001 PCB symbols & footprints
productDetail
