Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
FCH043N60
onsemi
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
1411 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (328 Oceny)
FCH043N60
Przegląd produktu
12839481
Numer części
FCH043N60-DGProducent
onsemi
FCH043N60
Opis
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3Magazyn
1411 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 600 V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247-3
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
FCH043N60 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
-
Seria
SuperFET® II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12225 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
592W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
FCH043
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz FCH043N60 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
FCH043N60
Karta danych HTML
FCH043N60-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSFCH043N60
2156-FCH043N60-OS
Pakiet Standard
30
Alternatywne części
NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
Jede Erfahrung bei DiGi Electronics bestätigt die hohe Produktverlässlichkeit und Preis-Transparenz.
grudnia 02, 2025
The packaging quality exceeded my expectations, sturdy and visually appealing at the same time.
grudnia 02, 2025
I appreciate the company's efforts in using packaging that minimizes environmental impact, paired with quick logistics.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są kluczowe cechy i specyfikacje MOSFET-a FCH043N60 od onsemi?
FCH043N60 to N-Channel MOSFET o napięciu znamionowym 600 V i stałym prądzie drenu do 75 A przy 25°C. Charakteryzuje się niskim Rds On wynoszącym 43 mΩ przy 38 A i napięciu bramki źródła 10 V, co czyni go odpowiednim do zastosowań wysokiego napięcia w zasilaczach. Urządzenie jest montowane poprzez przewiercanie (through-hole) w obudowie TO-247-3 i pracuje w zakresie temperatur od -55°C do 150°C.
Czy MOSFET FCH043N60 od onsemi nadaje się do zastosowań wysokiego napięcia w przełącznikach?
Tak, FCH043N60 jest zaprojektowany do pracy w wysokim napięciu, z napięciem drenu do źródła 600 V i możliwością rozpraszania mocy do 592 W przy temperaturze obudowy, co czyni go idealnym do konwersji energii i układów inwerterowych.
Czy MOSFET FCH043N60 jest kompatybilny z standardowym napięciem sterowania bramką?
Tak, ten MOSFET działa z maksymalnym napięciem bramka-do-źródło wynoszącym ±20 V, a zalecane napięcie sterujące to 10 V, co zapewnia niezawodne przełączanie w różnych systemach elektroniki mocy.
Jakie są zalety korzystania z serii MOSFET-ów SuperFET® II, takich jak FCH043N60?
MOSFET-y z serii SuperFET® II oferują niskie Rds On, wysoką tolerancję napięcia oraz dużą zdolność rozpraszania mocy, co poprawia wydajność i termiczne właściwości w zastosowaniach przełączania mocy, pomagając zredukować straty systemowe.
Gdzie można znaleźć wsparcie lub zakupić MOSFET FCH043N60 i na co zwrócić uwagę odnośnie dostępności?
FCH043N60 jest dostępny w magazynie w ilości 1 638 sztuk i jest odpowiedni do różnych zastosowań wymagających wysokiego napięcia MOSFET-ów. Chociaż jest on uznawany za wycofany z produkcji, można go nabyć u autoryzowanych dystrybutorów lub rozważyć alternatywne zamienniki, takie jak SIHG64N65E-GE3 lub IXTQ18N60P.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
FCH043N60 CAD Models
onsemi FCH043N60 PCB symbols & footprints
productDetail
