Substandard and counterfeit detection
Failure analysis
Lifecycle and reliability testing
Electrical testing
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
IRFI4212H-117PXKMA1
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
19610 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (33 Oceny)
IRFI4212H-117PXKMA1
Przegląd produktu
12983286
Numer części
IRFI4212H-117PXKMA1-DGProducent
Infineon Technologies
IRFI4212H-117PXKMA1
Opis
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5Magazyn
19610 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
Mosfet Array 100V 11A (Tc) 18W (Tc) Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zapewnienie jakości i zwroty
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
IRFI4212H-117PXKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
490pF @ 50V
Moc - Max
18W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-5 Full-Pak
Podstawowy numer produktu
IRFI4212
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz IRFI4212H-117PXKMA1 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
IRFI4212H-117P
Karta danych HTML
IRFI4212H-117PXKMA1-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IRFI4212H-117PXKMA1
SP005547285
2156-IRFI4212H-117PXKMA1
Pakiet Standard
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
迪吉電子的包裝完整細緻，讓我感到非常安心，價格方面又很有競爭力，是超值的選擇。
grudnia 02, 2025
DiGi Electronics offre un service de livraison rapide et efficace, ce qui facilite la gestion de mes projets.
grudnia 02, 2025
Chaque achat chez DiGi Electronics m'a convaincu par la fiabilité de leurs produits et la rapidité de leur support client.
grudnia 02, 2025
The entire process was smooth, thanks to their attentive and quick support.
grudnia 02, 2025
The website’s security measures made me feel confident about my personal information.
grudnia 02, 2025
Customer service representatives are always courteous and efficient.
grudnia 02, 2025
Their commitment to extensive product diversity helps in maintaining market competitiveness.
grudnia 02, 2025
DiGi continuously ensures shipments arrive promptly, supporting my operational needs.
grudnia 02, 2025
I've experienced no failures whatsoever—just long-lasting, durable products from DiGi Electronics.
grudnia 02, 2025
We are pleased with their quick turnaround in resolving post-sale issues.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są główne cechy układu MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1?
Układ IRFI4212H-117PXKMA1 jest dwukanałowym układem MOSFET typu N o napięciu nominalnym 100 V oraz ciągłym prądzie drenowym do 11 A na kanał, co czyni go odpowiednim do zastosowań wysokoprądowych. Posiada niski Rds(on) wynoszący 72,5 mΩ oraz moc strat do 18 W, zapewniając efektywną pracę.
Czy układ IRFI4212H-117PXKMA1 jest kompatybilny z popularnymi metodami montażu na PCB?
Tak, układ ten jest dostępny w obudowie typu TO-220-5 z wyprowadzeniami formowanymi, co umożliwia montaż techniką przewlekaną i jest kompatybilny zarówno z prototypowaniem, jak i produkcją masową.
Jakie są typowe zastosowania układu MOSFET IRFI4212H-117PXKMA1?
Układ ten jest idealny do przełączania mocy, sterowania silnikami, konwerterów DC-DC oraz innych układów elektronicznych o wysokim prądzie i napięciu, gdzie potrzebna jest efektywna kontrola energii i niezawodne przełączanie.
Jak układ IRFI4212H-117PXKMA1 radzi sobie w ekstremalnych warunkach temperaturowych?
Układ MOSFET działa skutecznie w zakresach temperaturowych od -55°C do 150°C, co pozwala na jego niezawodne funkcjonowanie w trudnych warunkach i wysokich temperaturach.
Jakie są zalety wyboru układu IRFI4212H-117PXKMA1 w porównaniu do innych układów MOSFET?
Dzięki dwukanałowej konfiguracji N, niskiemu Rds(on), dużej pojemności prądowej oraz wysokiej tolerancji temperaturowej, jest on ekonomicznym wyborem do efektywnego przełączania mocy i zarządzania termicznego w różnych zastosowaniach elektronicznych.
DiGi provide top-quality products and perfect service for
customer worldwide through standardization, technological
innovation andcontinuous improvement .Buyers need more than
just electronic parts. They need security.
All the electronics components will pass QC, make sure all the
parts are working perfect. Save your time and your money is
our poiver.
IRFI4212H-117PXKMA1 CAD Models
Infineon Technologies IRFI4212H-117PXKMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
