IRF8707TRPBF-1
5.0 / 5.0 - (166 Oceny)

IRF8707TRPBF-1

Przegląd produktu

12939563

Numer części

IRF8707TRPBF-1-DG

Producent

Infineon Technologies
IRF8707TRPBF-1

Opis

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

Magazyn

Zapytanie ofertowe Online
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
IRF8707TRPBF-1 Karta katalogowa
Ilość
Minimum 1

Zakup i zapytanie

RFQ (Zapytanie o ofertę)

Możesz złożyć zapytanie ofertowe (RFQ) bezpośrednio na stronie szczegółów produktu lub stronie RFQ. Nasz zespół sprzedaży odpowie na Twoje zapytanie w ciągu 24 godzin.

Metoda płatności

Oferujemy kilka wygodnych metod płatności, w tym PayPal (zalecane dla nowych klientów), karty kredytowe i przelewy bankowe (T/T) w USD, EUR, HKD i innych.

WAŻNA NOTYFIKACJA

Po wysłaniu zapytania ofertowego (RFQ) otrzymasz wiadomość e-mail w swojej skrzynce pocztowej informującą o otrzymaniu Twojego zapytania. Jeśli jej nie otrzymasz, nasz adres e-mail może być błędnie oznaczony jako spam. Prosimy sprawdzić folder ze spamem i dodać nasz adres e-mail [email protected] do swojej białej listy, aby zapewnić sobie otrzymywanie naszej oferty. Ze względu na możliwość wahań w dostępności i cenach, nasz zespół sprzedaży będzie musiał ponownie potwierdzić Twoje zapytanie lub zamówienie i na bieżąco informować Cię o wszelkich aktualizacjach za pomocą e-maila. Jeśli masz jakiekolwiek inne pytania lub potrzebujesz dodatkowej pomocy, prosimy o kontakt.

Poproś o wycenę(Wysyłka jutro)
Ilość
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

IRF8707TRPBF-1 Specyfikacje techniczne

Kategoria FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent Infineon Technologies

Opakowanie -

Seria HEXFET®

Status produktu Obsolete

Typ tranzystora FET N-Channel

Technologia MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C 11A (Ta)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona) 4.5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs 11.9mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V

Vgs (maks.) ±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 760 pF @ 15 V

Funkcja FET -

Rozpraszanie mocy (maks.) 2.5W (Ta)

Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)

Rodzaj montażu Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy 8-SOIC

Pakiet / Walizka 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Pobierz IRF8707TRPBF-1 Specyfikacja produktu (PDF)
Karta danych HTML

IRF8707TRPBF-1-DG

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T 8541.29.0095

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
448-IRF8707TRPBF-1TR
SP001565754
Pakiet Standard
4,000

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
PRODUCENT
ILOŚĆ DOSTĘPNA
NUMER CZĘŚCI
CENA JEDNOSTKOWA
Rodzaj zastąpienia
FDS8878
Fairchild Semiconductor
570614
FDS8878-DG
0.20
Similar
RS3E095BNGZETB
Rohm Semiconductor
2500
RS3E095BNGZETB-DG
0.29
Similar
IRF8707TRPBF
Infineon Technologies
27101
IRF8707TRPBF-DG
0.14
Direct
Certyfikacja DIGI
ISO 209001_2015
ISO 209001_2015
ISO 14001_2015
ISO 2014001_2015
ISO 45001_2018
ISO 2045001_2018
DUNS REGISTERED
DUNS REGISTERED
Companines Registry
Companines Registry
ASA Certificate
ASA Certificate
UKAS
UKAS
ESD Certificate
ESD Certificate
Produkty powiązane
Blogi i posty
Najnowsze osiągnięcia w technologii układów scalonych: analiza pięciu najnowocześniejszych technologii
sty 18 2025
Postępy w technologii cewek indukcyjnych: innowacyjne zastosowania LTCC i przetworników rezonansowych wysokiej częstotliwości
sty 18 2025
Ochrona obwodów: kluczowe technologie zapewniające bezpieczeństwo przemysłowych i samochodowych systemów elektronicznych
sty 18 2025