Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Oceny)
IPP041N12N3GXKSA1
Przegląd produktu
12803539
Numer części
IPP041N12N3GXKSA1-DGProducent
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Opis
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Magazyn
200457 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
IPP041N12N3GXKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Tube
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
120 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IPP041
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz IPP041N12N3GXKSA1 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
Karta danych HTML
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Pakiet Standard
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
grudnia 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
grudnia 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
grudnia 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
grudnia 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
grudnia 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
grudnia 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
grudnia 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są główne cechy tranzystora MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ (IPP041N12N3GXKSA1)?
Ten tranzystor MOSFET obsługuje napięcie dren-do-źródła wynoszące 120V oraz stały prąd drenowy 120A przy 25°C, z niskim oporem Rds On równym 4,1 mΩ, co czyni go odpowiednim do zastosowań w wysokoprądowych układach przełączających. Został zaprojektowany w obudowie TO-220-3, co zapewnia łatwy montaż i niezawodną pracę.
Do jakich zastosowań nadaje się ten tranzystor MOSFET o napięciu 120V i prądzie 120A?
Ten tranzystor MOSFET jest idealny do konwerterów mocy, napędów silników oraz układów przełączających o dużym prądzie, gdzie kluczowe jest efektywne zarządzanie energią i wydajność cieplna. Jego solidna konstrukcja zapewnia wytrzymałość w wymagających systemach elektronicznych.
Czy ten tranzystor N-Channel MOSFET jest kompatybilny z istniejącymi projektami elektronicznymi?
Tak, IPP041N12N3GXKSA1 jest kompatybilny z typowymi napięciami sterowania bramką i posiada próg bramki na poziomie 4V, co czyni go odpowiednim do różnych projektów zasilaczy impulsowych i systemów wbudowanych.
Jakie są zalety wyboru tranzystorów MOSFET serii OptiMOS™ od Infineon?
Tranzystory MOSFET OptiMOS™ są cenione za niskie Rds On, wysoką wydajność oraz doskonałe właściwości termiczne, co przyczynia się do ograniczenia strat mocy i zwiększenia niezawodności systemów.
Jakie wsparcie i gwarancję można uzyskać w ramach tego produktu MOSFET?
Jako aktywny produkt zgodny z RoHS 3, tranzystor ten objęty jest wsparciem producenta i gwarancją jakości. Dostępny jest bezpośrednio z magazynu, co zapewnia szybką dostępność do realizacji Twoich projektów.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
