Zapobieganie podróbkom i wadom
Inspekcja wizualna i pakowania
Weryfikacja parametrów elektrycznych
Adres e-mail do obsługi
[email protected]
>
BSZ0911LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
19863 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Poproś o wycenę
(Wysyłka jutro)
*Ilość
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (426 Oceny)
BSZ0911LSATMA1
Przegląd produktu
12943195
Numer części
BSZ0911LSATMA1-DGProducent
Infineon Technologies
BSZ0911LSATMA1
Opis
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONMagazyn
19863 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
Zakup i zapytanie
Gwarancja i Zwroty
Jak zamówić
Wysyłka i dostawa
Zarządzanie Jakością
365 - Gwarancja jakości na każdy dzień - Każdy element w pełni objęty gwarancją.
40-dniowy zwrot lub wymiana - Części uszkodzone? Bez problemu.
Ograniczona ilość, zamów teraz - Zdobywaj niezawodne części bez obaw.
Globalna wysyłka i bezpieczne pakowanie
Wysyłka na cały świat w ciągu 3-5 dni roboczych
Opakowania antyelektrostatyczne 100% ESD
Śledzenie w czasie rzeczywistym dla każdego zamówienia
Bezpieczna i Elastyczna Płatność
Karta kredytowa, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, przelew bankowy (T/T) i więcej
Wszystkie płatności zaszyfrowane dla bezpieczeństwa
BSZ0911LSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Transformatory, FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8 FL
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSZ0911
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Pobierz BSZ0911LSATMA1 Specyfikacja produktu (PDF)
Karty katalogowe
BSZ0911LS
Karta danych HTML
BSZ0911LSATMA1-DG
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-BSZ0911LSATMA1CT
448-BSZ0911LSATMA1DKR
448-BSZ0911LSATMA1TR
SP005424280
SP00542428
Pakiet Standard
5,000
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
grudnia 02, 2025
The delivery speed from DiGi Electronics is remarkable, ensuring my needs are met promptly.
grudnia 02, 2025
The delivery was prompt and reliable, making my shopping experience smooth and hassle-free.
grudnia 02, 2025
The quality assurance process is evident, as all items are defect-free.
grudnia 02, 2025
My order got to me faster than I expected, thanks to prompt shipping.
Opublikuj ocenę
Wiadomość oceny
Please enter your review message.
Proszę zamieścić szczere komentarze i nie publikować nielegalnych treści.
Najczęściej zadawane pytania (FAQ)
Jakie są główne cechy tranzystora MOSFET N-Channel Infineon OptiMOS™ 5 BSZ0911LSATMA1?
Ten tranzystor MOSFET oferuje napięcie pracy 30V i obsługuje ciągły prąd drenu do 12A przy 25°C, z maksymalnym impulsowym prądem drenu wynoszącym 40A. Charakteryzuje się niskim Rds On na poziomie 7 mΩ przy 20A i 10V, co czyni go odpowiednim do zastosowań w wysokosprawnych układach zasilania.
Czy tranzystor MOSFET BSZ0911LSATMA1 jest kompatybilny z powierzchniowymi układami PCB?
Tak, ten tranzystor MOSFET jest przeznaczony do montażu powierzchniowego w obudowie PG-TDSON-8, co jest idealne dla kompaktowych układów PCB oraz zastosowań o dużej gęstości komponentów.
Jakie są typowe zastosowania tranzystora MOSFET N-Channel Infineon BSZ0911LSATMA1?
Ten MOSFET nadaje się do różnych zastosowań związanych z przełączaniem mocy, takich jak napędy silników, zasilacze czy wyłączniki obciążenia, dzięki dużej pojemności prądu i niskiemu Rds On.
Jak zakres temperatur pracy tego tranzystora zapewnia jego niezawodność w różnych warunkach środowiskowych?
Przy zakresie temperatur od -55°C do 150°C, ten MOSFET utrzymuje stabilność parametrów w różnych warunkach, co czyni go niezawodnym rozwiązaniem w zastosowaniach przemysłowych i motoryzacyjnych.
Jakie wsparcie i gwarancję można uzyskać przy zakupie tranzystora MOSFET Infineon BSZ0911LSATMA1?
Produkt jest nowy, oryginalny, dostępny od ręki, z możliwością skorzystania z pomocy producenta i polityki gwarancyjnej. Zgodność z RoHS3 zapewnia również spełnienie standardów ochrony środowiska.
Zarządzanie Jakością (QC)
DiGi zapewnia jakość i autentyczność każdego elementu elektronicznego poprzez profesjonalne inspekcje i próbki partii, gwarantując niezawodne źródło zaopatrzenia, stabilne działanie oraz zgodność z wymogami technicznymi, pomagając klientom minimalizować ryzyko w łańcuchu dostaw i pewnie korzystać z komponentów w produkcji.
BSZ0911LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ0911LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
